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高效半導體照明關鍵材料技術研發項目取得突破
文章來源自:證券時報
2018-03-21 17:34:19 閱讀:26603
摘要近日,科技部高新司在北京組織專家對“十二五”國家863計劃新材料技術領域“高效半導體照明關鍵材料技術研發”重大項目(三期)進行了驗收。

  據科技部網站21日消息,近日,科技部高新司在北京組織專家對“十二五”國家863計劃新材料技術領域“高效半導體照明關鍵材料技術研發”重大項目(三期)進行了驗收。

  該項目以打造產業核心競爭力為目標,以提高自主創新能力為關鍵,以改善產業發展環境為手段,開展了LED外延結構設計、芯片結構設計、器件封裝、低成本LED驅動芯片及模塊開發等大電流驅動薄膜半導體照明技術研究;在一期和二期項目完成半導體照明外延芯片與器件封裝關鍵技術布局基礎上,三期項目重點開展“十城萬盞”半導體照明應用技術研究,重點開發了具有高光效、低成本、長壽命的LED照明模塊和低成本、高可靠、規格化LED照明產品;掌握了高導熱金剛石鍵合復合基板量產技術;研發了適用于薄膜LED的熱阻分析測試系統裝備;開發了薄膜LED近場分布光度計,可同時實現近場和遠場測量;實現了LED在市政照明、植物照明、機場、醫療等領域的應用示范。

  “十三五”期間,為進一步推動我國半導體照明材料的科技創新和產業化發展,科技部部署了“戰略性先進電子材料”重點專項,將第三代半導體材料與半導體照明作為重點專項的發展重點之一進行支持。專項的部署,將進一步為我國從半導體照明產品生產、消費和出口大國發展成為產業強國奠定堅實的基礎,支撐全球照明行業的產業變革和節能減排的可持續發展。


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